管式爐加熱元件硅碳棒是有一定的使用壽命的,那么在使用過程中,影響硅碳棒壽命的因素有哪些?
使用溫度:硅碳棒溫度越高壽命越短。特別是在爐膛溫度超過1600℃以后,氧化速度加快,硅碳棒的使用壽命變短,所以請盡量不要讓硅碳棒表面溫度過高,即有必要縮小爐膛溫度與硅碳棒溫度之差。
表面負(fù)荷:表面負(fù)荷密度指棒的發(fā)熱部單位表面積所允許承載的額定功率。?
表面負(fù)荷密度=額定功率(W)/ 發(fā)熱部表面積(cm2)?
實踐證明:負(fù)荷密度大則發(fā)熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大。負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高,電阻增長快, SIC棒的壽命短。因此,硅碳棒表面溫度負(fù)荷密度、爐內(nèi)氣氛、溫度與SIC棒老化速度成正比,與SIC棒的壽命成反比。?
爐內(nèi)氣氛:?在燒成中硅碳棒與很多燒成物揮發(fā)出來的化學(xué)物質(zhì)之間的會發(fā)生反應(yīng),如果與水、氫、氮、硫、鹵素等氣體及熔融的鋁、堿、鹽、熔融金屬、金屬氧化物接觸的話,也會發(fā)生反應(yīng)、腐蝕或氧化現(xiàn)象。
窯爐運行方式:硅碳棒在連續(xù)式窯爐與間歇式窯爐中,前者的壽命較長。硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜,長時間使用使二氧化硅皮膜增加,硅碳棒阻值也隨之增加。二氧化硅薄膜在結(jié)晶臨界點(270℃)附近發(fā)生異常膨脹、收縮。因在間歇式窯爐中間斷使用總在此溫度上下浮動,所以反復(fù)破二氧化硅薄膜,加速氧化。因此停電爐溫降至室溫時經(jīng)常急劇增加電阻。
接線方法:如果硅碳棒阻值不同,串聯(lián)時電阻高的硅碳棒負(fù)荷較集中,易導(dǎo)致某一根硅碳棒的電阻快速增加,壽命變短。硅碳棒一般是串、并聯(lián)接線結(jié)合使用。建議采用2根串聯(lián)為一組后多組并聯(lián)。特別當(dāng)爐內(nèi)溫度超過1350℃時必須并聯(lián)。三相接線時建議使用開放三角形接線。
管式爐加熱元件硅碳棒是有一定的使用壽命的,那么在使用過程中,影響硅碳棒壽命的因素有哪些?
使用溫度:硅碳棒溫度越高壽命越短。特別是在爐膛溫度超過1600℃以后,氧化速度加快,硅碳棒的使用壽命變短,所以請盡量不要讓硅碳棒表面溫度過高,即有必要縮小爐膛溫度與硅碳棒溫度之差。
表面負(fù)荷:表面負(fù)荷密度指棒的發(fā)熱部單位表面積所允許承載的額定功率。?
表面負(fù)荷密度=額定功率(W)/ 發(fā)熱部表面積(cm2)?
實踐證明:負(fù)荷密度大則發(fā)熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大。負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高,電阻增長快, SIC棒的壽命短。因此,硅碳棒表面溫度負(fù)荷密度、爐內(nèi)氣氛、溫度與SIC棒老化速度成正比,與SIC棒的壽命成反比。?
爐內(nèi)氣氛:?在燒成中硅碳棒與很多燒成物揮發(fā)出來的化學(xué)物質(zhì)之間的會發(fā)生反應(yīng),如果與水、氫、氮、硫、鹵素等氣體及熔融的鋁、堿、鹽、熔融金屬、金屬氧化物接觸的話,也會發(fā)生反應(yīng)、腐蝕或氧化現(xiàn)象。
窯爐運行方式:硅碳棒在連續(xù)式窯爐與間歇式窯爐中,前者的壽命較長。硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜,長時間使用使二氧化硅皮膜增加,硅碳棒阻值也隨之增加。二氧化硅薄膜在結(jié)晶臨界點(270℃)附近發(fā)生異常膨脹、收縮。因在間歇式窯爐中間斷使用總在此溫度上下浮動,所以反復(fù)破二氧化硅薄膜,加速氧化。因此停電爐溫降至室溫時經(jīng)常急劇增加電阻。
接線方法:如果硅碳棒阻值不同,串聯(lián)時電阻高的硅碳棒負(fù)荷較集中,易導(dǎo)致某一根硅碳棒的電阻快速增加,壽命變短。硅碳棒一般是串、并聯(lián)接線結(jié)合使用。建議采用2根串聯(lián)為一組后多組并聯(lián)。特別當(dāng)爐內(nèi)溫度超過1350℃時必須并聯(lián)。三相接線時建議使用開放三角形接線。