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高溫爐爐內(nèi)氣氛對硅碳棒的影響有哪些

高溫爐在使用過程中,根據(jù)工藝需要會通入保護氣體,那么這些氣體會對硅碳棒參數(shù)怎樣的影響呢?
水蒸氣的影響:水蒸氣(H2O)在1100℃時與SiC發(fā)生強烈化學反應,生成Si、SiO2和C。硅碳棒表面出現(xiàn)裂紋,電阻增長速度很快。
二氧化硫(SO2)的影響:SO2在1300℃與SiC反應,故使用溫度應控制在1300℃以下。
氮氣(N2)的影響:當硅碳棒表面溫度達到1400℃時,N2就與SiC發(fā)生反應,生成氮化硅,使硅碳棒的電阻值顯著增長。
干燥空氣的影響:硅碳棒能在高溫(1600℃)、干燥的空氣中長期使用,電阻緩慢增加。氧氣(O2)與SiC在高溫時發(fā)生反應,生成二氧化硅(SiO2)。由于硅碳棒表面形成了一層SiO2保護膜,因此硅碳棒具有很強的抗氧化性。
氫氣(H2)的影響:在1250℃時,H2與SiC發(fā)生反應,生成甲烷(CH4),破壞SiC發(fā)熱體。
氯氣(Cl2)的影響:Cl2在600℃時就會與SiC發(fā)生反應,在1200℃時,Cl2會把硅碳棒完全分解。
氨氣(NH3)的影響:NH3在高溫時可分解成成N2和H2。故使用溫度應控制在1250℃以下。
好了,本小編也就知道這么多了,有不詳細的地方,還請多多包涵。

高溫爐爐內(nèi)氣氛對硅碳棒的影響有哪些

高溫爐在使用過程中,根據(jù)工藝需要會通入保護氣體,那么這些氣體會對硅碳棒參數(shù)怎樣的影響呢?
水蒸氣的影響:水蒸氣(H2O)在1100℃時與SiC發(fā)生強烈化學反應,生成Si、SiO2和C。硅碳棒表面出現(xiàn)裂紋,電阻增長速度很快。
二氧化硫(SO2)的影響:SO2在1300℃與SiC反應,故使用溫度應控制在1300℃以下。
氮氣(N2)的影響:當硅碳棒表面溫度達到1400℃時,N2就與SiC發(fā)生反應,生成氮化硅,使硅碳棒的電阻值顯著增長。
干燥空氣的影響:硅碳棒能在高溫(1600℃)、干燥的空氣中長期使用,電阻緩慢增加。氧氣(O2)與SiC在高溫時發(fā)生反應,生成二氧化硅(SiO2)。由于硅碳棒表面形成了一層SiO2保護膜,因此硅碳棒具有很強的抗氧化性。
氫氣(H2)的影響:在1250℃時,H2與SiC發(fā)生反應,生成甲烷(CH4),破壞SiC發(fā)熱體。
氯氣(Cl2)的影響:Cl2在600℃時就會與SiC發(fā)生反應,在1200℃時,Cl2會把硅碳棒完全分解。
氨氣(NH3)的影響:NH3在高溫時可分解成成N2和H2。故使用溫度應控制在1250℃以下。
好了,本小編也就知道這么多了,有不詳細的地方,還請多多包涵。
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